FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 Infineon IGBTモジュールの中型力62MM
FF200R17KE4
製造業者:Infineon
製品タイプ:IGBTモジュール
構成:二重
Collector-emitterの最高の電圧VCEO:1.7 kV
Collector-emitterの飽和電圧:2.3 V
25 Cの連続的なコレクター流れ:310 A
ゲート エミッターの漏出流れ:100 nA
Pd力の消滅:1250のW
パッケージ/箱:モジュール
最低の働く温度:- 40 C
最高の働く温度:+ 150 C
パッケージ:皿
ゲート/エミッターの最高の電圧:20ボルト
様式の取付け:シャーシの台紙
シリーズ:FFXR17K4H
パッキングの量:10 PCS
下位範疇:IGBTs
技術:堀/視野絞り
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