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IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Mosfet High Power TO-220-3

IPP65R190CFD7XKSA1 インフィニオン モスフェット 高電力TO-220-3

  • ハイライト

    IPP65R190CFD7XKSA1

    ,

    TO-220-3 集積回路 Ic

  • INFINEON
    IPP65R190CFD7XKSA1
  • パッケージ
    TO-220-3
  • チャンネル数
    1つのチャネル
  • Vds -下水管源の絶縁破壊電圧
    650ボルト
  • Id 連続流出電流
    12 A
  • Pd力の消滅
    63 W
  • 最低の働く温度
    -40℃
  • 作業温度
    +150℃
  • パッキングの量
    500 PC
  • 起源の場所
    ドイツ
  • ブランド名
    Infineon
  • モデル番号
    IPP65R190CFD7XKSA1
  • 最小注文数量
    1pcs
  • 価格
    Negotiated Price
  • パッケージの詳細
    トゥーブ
  • 受渡し時間
    24-72hours
  • 支払条件
    T/T、L/C
  • 供給の能力
    5000PCS+48時間

IPP65R190CFD7XKSA1 インフィニオン モスフェット 高電力TO-220-3

 

IPP65R190CFD7XKSA1 インフィニオンモスフェット 高功率 NEW TO-220-3

IPP65R190CFD7

IPP65R190CFD

 

 

メーカー:インフィニオン
製品カテゴリ:MOSFET
テクノロジー: Si
設置スタイル: 穴を通る
パッケージ/箱:TO-220-3
トランジスタの極度:Nチャンネル
チャンネル数: 1 チャンネル
Vds-排水源断熱電圧: 650 V
Id 連続流出電流: 12 A
Rdsオン・ドレイン・ソース・オン抵抗: 190mOhms
Vgs - ゲート・ソースの電圧: - 20V, + 20V
Vgs ゲート・ソースのスロープ電圧: 4.5 V
Qgゲート充電: 23 nC
最低動作温度: -40°C
最大動作温度: +150°C
Pd電力の消耗: 63 W
チャンネルモード: 強化
パッケージ:チューブ
パッケージ数: 500 PCS
部分番号 偽名:IPP65R190CFD7 SP005413377

 

 

IPP65R190CFD7XKSA1 インフィニオン モスフェット 高電力TO-220-3 0

IPP65R190CFD7XKSA1 インフィニオン モスフェット 高電力TO-220-3 1