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STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A High Speed HB2 Series IGBT D2PAK-3

STGB30H65DFB2 ST トランジスタ 30 A 高速 HB2 シリーズ IGBT D2PAK-3

  • ハイライト

    IGBT D2PAK-3

    ,

    STGB30H65DFB2 STトランジスタ

    ,

    30 A IGBT トランジスタ

  • STMマイクロ電子機器
    STGB30H65DFB2
  • カプセル化
    D2PAK-3
  • Collector-Emitterの飽和電圧
    1.65 V
  • Pd - エネルギー分散
    167W
  • 最低動作温度
    -55℃
  • 最大動作温度
    +175℃
  • パッキングの量
    1000個
  • 起源の場所
    イタリア
  • ブランド名
    STMicroelectronics
  • モデル番号
    STGB30H65DFB2
  • 最小注文数量
    1PCS
  • 価格
    Negotiated Price
  • パッケージの詳細
    リール
  • 受渡し時間
    24-72hours
  • 支払条件
    T/T,L/C
  • 供給の能力
    10000 PCS+48hours

STGB30H65DFB2 ST トランジスタ 30 A 高速 HB2 シリーズ IGBT D2PAK-3

 

STGB30H65DFB2 ST トランジスタ 30 A 高速 HB2 シリーズ IGBT D2PAK-3

 

 

メーカー:STMicroelectronics
製品カテゴリ:IGBTトランジスタ
テクノロジー: Si
装着スタイル:SMD/SMT
構成: 単機
コレクター・エミッター 最大電圧 VCEO: 650 V
コレクター・エミッター 飽和電圧: 1.65 V
ゲート/エミッター 最大電圧: - 20V, 20V
25C:50Aの連続電流
Pd電力の分散: 167 W
最低動作温度: -55°C
最大動作温度: + 175 C
パッケージ:リール
パッケージ: カットテープ
パッケージ:マウスリール
ブランド:STMicroelectronics
製品タイプ:IGBTトランジスタ
パッケージ数: 1000 PCS
サブカテゴリ:IGBT
単位重量: 1,380 g

 

 

STGB30H65DFB2 ST トランジスタ 30 A 高速 HB2 シリーズ IGBT D2PAK-3 0

STGB30H65DFB2 ST トランジスタ 30 A 高速 HB2 シリーズ IGBT D2PAK-3 1