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Configuration Single IGBT Modules 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858

構成単一IGBTモジュール1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858

製品 - IGBTモジュール
  • ハイライト

    単一IGBTモジュール

    ,

    IGBTモジュール1200V

    ,

    単一IGBT 150A

  • Infineon
    FD150R12RT4HOSA1
  • 構成
    単一
  • Collector-emitterの最高の電圧VCEO
    1.2 kV
  • Collector-Emitterの飽和電圧
    2.15 V
  • 25Cの連続的なコレクター流れ
    150 A
  • ゲート エミッターの漏出流れ
    100 nA
  • Pd力の消滅
    790 W
  • 最低の働く温度
    -40℃
  • 最高の働く温度
    +150℃
  • 包装
    10 PC
  • 起源の場所
    ドイツ
  • ブランド名
    Infineon
  • モデル番号
    FD150R12RT4HOSA1
  • 最小注文数量
    1pcs
  • 価格
    Bargain
  • パッケージの詳細
    皿
  • 受渡し時間
    48hours
  • 支払条件
    L/C、T/T
  • 供給の能力
    500 PCS+48hours

構成単一IGBTモジュール1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858

  • Configuration Single IGBT Modules 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858
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FD150R12RT4HOSA1  SP000711858  Infineon  IGBTモジュールIGBT 1200V 150A

FD150R12RT4

 

製造業者:Infineon
製品タイプ:IGBTモジュール
構成:単一
Collector-emitterの最高の電圧VCEO:1.2 kV
Collector-emitterの飽和電圧:2.15 V
25 Cの連続的なコレクター流れ:150 A
ゲート エミッターの漏出流れ:100 nA
Pd力の消滅:790 W
最低の働く温度:- 40 C
最高の働く温度:+ 150 C
パッケージ:皿
ゲート/エミッターの最高の電圧:20ボルト
設置様式:SMD/SMT
シリーズ:堀/Fieldstop IGBT4
パッキングの量:10 PCS
下位範疇:IGBTs

 

 

構成単一IGBTモジュール1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 0構成単一IGBTモジュール1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 1

札:

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高い発電のigbtモジュール

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