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1200V 900A IGBT Modules Single Si FZ900R12KE4HOSA1 SP000524466

1200V 900A IGBTモジュール単一Si FZ900R12KE4HOSA1 SP000524466

  • ハイライト

    1200V IGBTモジュール

    ,

    900A IGBTモジュール

    ,

    FZ900R12KE4HOSA1

  • Infineon
    FZ900R12KE4HOSA1
  • 構成
    単一
  • Collector-emitterの最高の電圧VCEO
    1.2 kV
  • Collector-Emitterの飽和電圧
    1.75 V
  • 25Cの連続的なコレクター流れ
    900A
  • ゲート エミッターの漏出流れ
    400 nA
  • Pd力の消滅
    4300 W
  • 最低の働く温度
    -40℃
  • 最高の働く温度
    +150℃
  • 包装
    10 PC
  • 起源の場所
    ドイツ
  • ブランド名
    Infineon
  • モデル番号
    FZ900R12KE4HOSA1
  • 最小注文数量
    1pcs
  • 価格
    Bargain
  • パッケージの詳細
  • 受渡し時間
    48hours
  • 支払条件
    L/C、T/T
  • 供給の能力
    500 PCS+48hours

1200V 900A IGBTモジュール単一Si FZ900R12KE4HOSA1 SP000524466

 

FZ900R12KE4HOSA1  SP000524466  Infineon  IGBTモジュール1200V 900A

 

FZ900R12KE4

 

製造業者:Infineon
製品タイプ:IGBTモジュール
構成:単一
Collector-emitterの最高の電圧VCEO:1.2 kV
Collector-emitterの飽和電圧:1.75 V
25 Cの連続的なコレクター流れ:900 A
ゲート エミッターの漏出流れ:400 nA
Pd力の消滅:4300 W
最低の働く温度:- 40 C
最高の働く温度:+ 150 C
パッケージ:皿
ゲート/エミッターの最高の電圧:20ボルト
様式の取付け:シャーシの台紙
製品タイプ:IGBTモジュール
シリーズ:Trenchstop IGBT4 - E4
パッキングの量:10 PCS
下位範疇:IGBTs
技術:Si

 

 

1200V 900A IGBTモジュール単一Si FZ900R12KE4HOSA1 SP000524466 01200V 900A IGBTモジュール単一Si FZ900R12KE4HOSA1 SP000524466 1